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氬離子拋光機(jī)
產(chǎn)品簡介：
ArNanoFab 100氬離子拋光機(jī)可同時實(shí)現(xiàn)動態(tài)平面拋光和離子切割兩種模式，無論軟或硬，多孔或致密，脆性或韌性，熱敏感或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料，都可獲得高質(zhì)量的無損切割截面，此款氬離子拋光機(jī)配套電子顯微鏡、電子（離子）探針、原子力顯微鏡等產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)樣品無損界面制備。
咨詢電話：0512-68786805
核心優(yōu)勢 技術(shù)參數(shù) 應(yīng)用案例
  • 離子平面拋光和離子切割一體化技術(shù),一套系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)兩種模式，無需復(fù)雜的切換流程，簡潔方便1
  • 動態(tài)離子切割技術(shù)，實(shí)現(xiàn)樣品的往復(fù)平移和旋轉(zhuǎn)，最大切割長度達(dá)10mm ,有效減少投影/遮擋效應(yīng)2
  • 超大的平面拋光裝載尺寸50mm ×25mm(直徑×高)，為原位實(shí)驗(yàn)等大尺寸樣品提供可能3
  • 能量0.5-10kv連續(xù)可調(diào)，既可滿足低能區(qū)減少非晶層，又可兼顧高能區(qū)大幅提高制樣效率4

    • ArNanoFab 100氬離子拋光機(jī)應(yīng)用案例

    離子平面拋光后的頁巖截面揭示樣品表面納米級孔隙左圖為無機(jī)孔，右圖有機(jī)孔SEM圖像，石油地質(zhì)領(lǐng)域。

    離子切割后的手機(jī)柔性屏幕內(nèi)部結(jié)構(gòu)和材料特征SEM圖像，半導(dǎo)體領(lǐng)域。

    氬離子拋光機(jī)切割后電鏡圖像

    離子切割后的電池材料截面揭示其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，左圖電池陽極極片，右圖電池隔膜，SEM圖像，能源電池材料領(lǐng)域。

    氬離子拋光機(jī)拋光后芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

    左圖氬離子拋光機(jī)進(jìn)行離子切割后的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，右圖氬離子拋光機(jī)進(jìn)行離子平面拋光后的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，SEM圖像半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域。

    平面拋光后的LED焊盤結(jié)構(gòu)，SEM圖像，半導(dǎo)體光電領(lǐng)域。

    低電壓平面拋光后的合成材料EBSD結(jié)果，EBSD圖像，新材料領(lǐng)域。

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